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FOD3182SD  描述:

          FOD3182是一种输出电流为3A 的高速 MOSFET 栅极驱动光耦合器。

它由一个砷化镓铝(AlGaAs)发光二极管与一个具有 PMOS 和 NMOS 输出

功率晶体管集成电路电源级的 CMOS 探测器光耦合而成。它非常适合用于

等离子体显示器(PDP)、电机控制转换器应用和高性能 DC/DC 转换器中的

 PowerMOSFETS 的高频驱动。该装置封装在一个8针双在线外壳兼容260

 °C 回流工艺，符合无铅焊料要求。

FOD3182SD  特点：

-抗高噪音拥有属性50kV/s (类别)共模拒绝@VCM = 2,000 V 

-保证工作温度范围-40 ° C 至 + 100 ° C

-3峰值输出电流

-快速切换速度210 ns。传播延迟限额。脉冲宽度失真

-快速输出上升/下降时间

-提供较低的动态功耗

-250kHz 开关速度

-宽 VDD 工作范围: 10V 至30V 

-在输出阶段使用 P 通道 MOSFET 可使输出电压在接近供电铁路(铁路到铁路输出)附近波动

-5000Vrms,1分钟隔离

-电压锁定保护(UVLO)-滞后优化驱动 MOSFET 

-最小蠕变距离为8.0毫米

-最小间隙距离为10毫米至16毫米(选项 TV 或 TSV)

-最小绝缘厚度为0.5毫米

- UL 和 VDE 

-1414峰值工作绝缘电压(VIORM) 

FOD3182SD  应用：

1.等离子显示屏

2.高性能 DC/DC 转换器

3.高性能开关模式电源

4.高性能不间断电源

5.隔离功率 MOSFET 栅极驱动

FOD3182SD  功能框图：

封装：

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